瑞萨科技公司（Renesas Technology Corp.）宣布，开发出了目前最高容量的64Mb先进低功耗SRAM（先进L RAM）R1WV6416R系列，以及小尺寸的32Mb先进L RAM产品R1LV3216R系列。32Mb产品的样品将于2008年4月开始在日本交付，64Mb产品的样品交付时间为7月份。
这两个新系列将进一步扩展瑞萨科技采用专有存储单元技术实现更小芯片尺寸和无软错误的先进L RAM产品的阵容。两个系列将以不同的封装和不同的规格(例如存取时间)供货。总共十二款64 Mb产品和八款32 Mb产品可以满足包括工业、办公设备、消费类电子产品、汽车系统和通信设备等领域的各种需求。
R1WV6416R系列和R1LV3216R系列的主要功能
最大容量64Mb的低功耗SRAM
新型64 Mb低功耗SRAM的每款产品都是在一个封装中集成了两个小型32 Mb先进L RAM芯片的堆栈，实现了最高的容量。这些器件可以满足高性能系统的大容量低功耗SRAM需求，同时满足以前需要多个低功耗SRAM器件才能实现的应用对减小空间的要求。
广泛的封装阵容可满足各种需求
为了满足各种应用需求，这两个新系列采用了几种不同的封装：TSOP I（48引脚）、μTSOP（52引脚），而64 Mb产品还有FBGA（48焊球）封装。TSOP I和μTSOP封装与以前的16 Mb产品尺寸相同，而FBGA封装的焊球布局则为信号引脚兼容。这将有助于客户在继续使用其现有布局设计时增加存储容量。
具备无软错误和无锁定的高可靠性
先进L RAM采用一种堆叠电容器存储单元结构，这是DRAM元件中证明成功的一种方法。它实际上可以消除alpha辐射或高能量中子辐射所引起的软错误，这可能是超精细SRAM存在的一个问题。此外，这种存储单元结构还可以避免寄生可控硅（parasitic thyristor）的问题，它可能产生寄生电流流动并导致锁定。消除软错误和锁定可以实现卓越的可靠性。
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