US3116集成了主电源开关12伏(V)、6.2安培(A)的μCool单P沟道MOSFET，处理主电池开关功能；它还集成了两个内部低饱和 晶体管，处理双沟道充电功能。其中，主开关MOSFET的最大漏-源极导通阻抗(RDS(ON))为40mΩ，尽量降低便携电子产品电池工作期间的功率损耗。而两个低Vce(sat)晶体管为高达2A的充电电流提供良好的热性能，且在充电结束时的Vce电压降低少于240mV。
US3116采用无铅型DFN-8封装，仅占用9平方毫米(mm2)电路板空间，与使用三颗TSOP-6封装需要互连空间的传统解决方案相比，节省了超过20mm2板级空间。这种封装的高度仅为0.8mm，使得该器件适合于极小形状系数的便携电子产品设计。采用NUS3116集成器件更可减低电路板布局的复杂性。
US3116现已供货，每3,000片的批量单价为0.80美元。33854/>
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